Current induced doping in graphene-based transistor with asymmetrical contact barriers
发布时间：2022-07-08点击次数：
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DOI码：10.1063/1.4867018
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发表刊物：Applied Physics Letters
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合写作者：ShiQiao Qin, Sen Zhang, Jingyue Fang
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第一作者：Wei Chen
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论文类型：期刊论文
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通讯作者：XueAo Zhang
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学科门类：理学
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一级学科：物理学
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文献类型：J
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卷号：104
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期号：8
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页面范围：083115-083118
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是否译文：否
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发表时间：2014-02-27
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收录刊物：SCI
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