Resistive switching mechanism in the one diode-one resistor memory based on p+-Si/n-ZnO heterostructure revealed by in-situ TEM
发布时间：2020-11-19
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发表刊物：Scientific Reports
第一作者：L. Zhang, L. Zhu, X. M. Li, Z. Xu, W. L. Wang, and X. D. Bai
论文类型：期刊论文
卷号：7
期号：45143
是否译文：否
发表时间：2017-05-24
收录刊物：SCI