张明瑜
一种含有孔隙结构C/SiC涂层及其制备的方法
点击次数:
专利类型:发明
专利状态:授权专利
授权号:2013110229037.7
发明人数:6
是否职务专利:否
申请日期:2013-02-25
授权日期:2015-04-15
第一作者:张明瑜
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专利类型:发明
专利状态:授权专利
授权号:2013110229037.7
发明人数:6
是否职务专利:否
申请日期:2013-02-25
授权日期:2015-04-15
第一作者:张明瑜