Gate-Tunable In-Plane Ferroelectricity in Few-Layer SnS
发布时间：2020-06-12
点击次数：
发表刊物：Nano Lett.
合写作者：Liu, Y., Chen, Z., Zhu, M., Abdelwahab, I., …
第一作者：Bao, Y.,# Song, P#
通讯作者：Loh, K. P.
卷号：19
期号：8
页面范围：5109–5117
是否译文：否
发表时间：2019-06-28
收录刊物：SCI
上一条： Giant Enhancement of Second Harmonic Generation Accompanied by the Structural Transformation of 7-Fold to 8-Fold Interpenetrated Metal–Organic Framework (MOF)
下一条： Thermally Evaporated Two-Dimensional SnS as an Efficient and Stable Electron Collection Interlayer for Inverted Planar Perovskite Solar Cells