陈智慧

讲师 硕士生导师

入职时间:2020-05-26

所在单位:物理学院

学历:博士研究生毕业

办公地点:中南大学 新校区 物理楼 440B

性别:女

联系方式:czh_nlo@csu.edu.cn

学位:博士学位

在职信息:在职

毕业院校:新加坡国立大学

曾获荣誉:

2021-12-18  当选:  湖南省光学科技进展奖 二等奖

2020-06-09  当选:  Singapore National Institute of Chemistry (SNIC) Gold Medal awarded to the most outstanding PhD thesis

2018-08-07  当选:  Best Poster Award of the Chemistry Graduate Symposium 2018 of National University of Singapore

   
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Cu(111)衬底上单层铁电GeS薄膜的原子和电子结构研究

发布时间:2023-10-24

点击次数:

DOI码:10.7498/aps.73.20231246

发表刊物:物理学报

关键字:二维铁电材料因具有自发极化特性,在铁电场效应晶体管、非易失性存储器和传感器中具有广泛的技术和器件应用。特别是第四主族单硫属化合物具有最高的理论预测热电特性和本征的面内铁电极化特性,适合作为探索二维铁电极化特性的模型材料。然而,由于相对大的解理能,目前不容易获得高质量和大尺寸单层第四主族单硫属化合物,严重阻碍了这些材料应用到快速发展的二维材料及其异质结研究中。本文采用分子束外延方法在Cu (111)衬底上成功制备单层GeS。通过高分辨扫描隧道显微镜,原位X射线光电子能谱和角分辨光电子能谱以及密度泛函理论计算,对单层GeS原子晶格和电子能带结构进行了系统表征。研究结果表明:单层GeS具有正交晶格结构和近似平带的电子能带结构。单层GeS的成功制备和表征使得制备高质量和大尺寸单层第四主族单硫属化合物成为可能,有利于该主族材料应用到快速发展的二维铁电材料以及异质结研究中

论文类型:期刊论文

学科门类:理学

一级学科:物理学

文献类型:J

是否译文:

发表时间:2023-10-10

收录刊物:SCI

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