Modeling and parameters extraction of LDMOSFET device
发布时间：2023-02-28
点击次数：
DOI码：10.1016/j.spmi.2013.11.020
发表刊物：SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
合写作者：Gu, TF, XM, YZ, Cao, J
第一作者：Ding, JF
通讯作者：Honggui Deng
是否译文：否
教授 博士生导师 硕士生导师
入职时间：1997-06-01
所在单位：电子信息学院
学历：研究生(博士)毕业
性别：男
联系方式：denghonggui@csu.edu.cn
学位：博士学位
在职信息：在职
毕业院校：华东师范大学
Modeling and parameters extraction of LDMOSFET device
发布时间：2023-02-28
点击次数：
DOI码：10.1016/j.spmi.2013.11.020
发表刊物：SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
合写作者：Gu, TF, XM, YZ, Cao, J
第一作者：Ding, JF
通讯作者：Honggui Deng
是否译文：否