Current induced doping in graphene-based transistor with asymmetrical contact barriers
发布时间：2022-07-08点击次数：
-
DOI码：10.1063/1.4867018
-
发表刊物：Applied Physics Letters
-
合写作者：ShiQiao Qin, Sen Zhang, Jingyue Fang
-
第一作者：Wei Chen
-
论文类型：期刊论文
-
通讯作者：XueAo Zhang
-
学科门类：理学
-
一级学科：物理学
-
文献类型：J
-
卷号：104
-
期号：8
-
页面范围：083115-083118
-
是否译文：否
-
发表时间：2014-02-27
-
收录刊物：SCI
+
方靖岳
个人信息
硕士生导师- 教师拼音名称：fangjingyue
- 电子邮箱：
- 入职时间：2021-12-30
- 所在单位：电子信息学院
- 学历：博士研究生毕业
- 性别：男
- 学位：理学博士学位
- 在职信息：在职
- 毕业院校：国防科技大学
其他联系方式
- 邮编:
- 通讯/办公地址:
- 移动电话:
- 邮箱:
手机版