龙孟秋
Strain engineering on electronic structure and carrier mobility in monolayer GeP3
点击次数:
发表刊物:J. Phys. D: Appl. Phys.
第一作者:曾波文
论文类型:期刊论文
通讯作者:龙孟秋
期号:51
页面范围:235302
是否译文:否
发表时间:2018-09-26
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发表刊物:J. Phys. D: Appl. Phys.
第一作者:曾波文
论文类型:期刊论文
通讯作者:龙孟秋
期号:51
页面范围:235302
是否译文:否
发表时间:2018-09-26