低损耗高直流偏置FeSi软磁复合材料及其制备方法
发布时间:2024-12-26
点击次数:
发明设计人:彭元东, 解晓璐, 赵一帆, 刘正伟
专利类型:发明
专利状态:授权专利
申请号:2024 1 0467019.0
发明人数:4
是否职务专利:是
申请日期:2024-04-18
授权日期:2024-11-12
低损耗高直流偏置FeSi软磁复合材料及其制备方法
发布时间:2024-12-26
点击次数:
发明设计人:彭元东, 解晓璐, 赵一帆, 刘正伟
专利类型:发明
专利状态:授权专利
申请号:2024 1 0467019.0
发明人数:4
是否职务专利:是
申请日期:2024-04-18
授权日期:2024-11-12