中南大学孙健

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Geometric Factors in Magnetoresistance of n-doped InAs Epilayers

发布时间：2018-07-03

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发表刊物：Journal of Applied Physics

合写作者：J. Kosel, Y-A. Soh, J. Sun*

卷号：114

页面范围：203903

是否译文：否

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