Coupling Topological Insulator SnSb2Te4 Nanodots with Highly Doped Graphene for High-Rate Energy Storage
发布时间：2022-02-12
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发表刊物：Advanced Materials
合写作者：Gemeng Liang, Wei Kong Pang, Tengfei Zhou, Zhenxiang Cheng, Wenchao Zhang, Ye Liu
第一作者：Zhibin Wu
通讯作者：Bernt Johannessen, Zaiping Guo
文献类型：J
卷号：32
期号：2
页面范围：1905632
是否译文：否
发表时间：2019-11-28