Localized resistive switching in ZnS-Ag/ZnS double-layer memory
发布时间：2020-11-19
点击次数：
发表刊物：J. Phys. D: Appl. Phys.
第一作者：L. Zhang, H. Y. Xu, Z. Q. Wang, X. N. Zhao, J. G. Ma, Y. C. Liu
论文类型：期刊论文
卷号：47
期号：455101
是否译文：否
发表时间：2014-11-19
收录刊物：SCI
副教授
入职时间：2018-05-31
所在单位：机电工程学院
职务：associate professor
学历：研究生(博士后)
办公地点：机电楼A326
性别：男
联系方式：18401252022
学位：博士学位
在职信息：在职
毕业院校：Northeast Normal University
Localized resistive switching in ZnS-Ag/ZnS double-layer memory
发布时间：2020-11-19
点击次数：
发表刊物：J. Phys. D: Appl. Phys.
第一作者：L. Zhang, H. Y. Xu, Z. Q. Wang, X. N. Zhao, J. G. Ma, Y. C. Liu
论文类型：期刊论文
卷号：47
期号：455101
是否译文：否
发表时间：2014-11-19
收录刊物：SCI