张磊

副教授

入职时间:2018-05-31

所在单位:机电工程学院

职务:associate professor

学历:研究生(博士后)

办公地点:机电楼A326

性别:男

联系方式:18401252022

学位:博士学位

在职信息:在职

毕业院校:Northeast Normal University

   
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Improved resistive switching characteristics by introducing Ag-nanoclusters in amorphous-carbon memory

发布时间:2020-11-19

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发表刊物:Mater. Lett.

第一作者:L. Zhang, H. Y. Xu, Z. Q. Wang, J. G. Ma and Y. C. Liu

论文类型:期刊论文

卷号:154

期号:98

是否译文:

发表时间:2015-09-23

收录刊物:SCI

上一条: Resistive switching mechanism in the one diode-one resistor memory based on p+-Si/n-ZnO heterostructure revealed by in-situ TEM

下一条: Coexistence of bipolar and unipolar resistive switching behaviors in the double-layer Ag/ZnS-Ag/CuAlO2/Pt memory device