Improved resistive switching characteristics by introducing Ag-nanoclusters in amorphous-carbon memory
发布时间：2020-11-19
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发表刊物：Mater. Lett.
第一作者：L. Zhang, H. Y. Xu, Z. Q. Wang, J. G. Ma and Y. C. Liu
论文类型：期刊论文
卷号：154
期号：98
是否译文：否
发表时间：2015-09-23
收录刊物：SCI