张磊

副教授

入职时间:2018-05-31

所在单位:机电工程学院

职务:associate professor

学历:研究生(博士后)

办公地点:机电楼A326

性别:男

联系方式:18401252022

学位:博士学位

在职信息:在职

毕业院校:Northeast Normal University

   
当前位置: 中文主页 >> 论文成果

The modification of ultraviolet illumination to resistive switching behaviors in Ga2O3 memory device

发布时间:2020-11-25

点击次数:

发表刊物:Journal of Materials Science: Materials in Electronics

第一作者:Lei Zhang, Hao Yu, Lingxing Xiong, Wenhui Zhu, Liancheng Wang

论文类型:期刊论文

卷号:30

期号:8629

是否译文:

发表时间:2019-04-24

收录刊物:SCI

上一条: Multilevel resistive switching in pn heterostructure memory

下一条: Molecular features and expression of DAZAP2 in human multiple myeloma