The modification of ultraviolet illumination to resistive switching behaviors in Ga2O3 memory device
发布时间：2020-11-25
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发表刊物：Journal of Materials Science: Materials in Electronics
第一作者：Lei Zhang, Hao Yu, Lingxing Xiong, Wenhui Zhu, Liancheng Wang
论文类型：期刊论文
卷号：30
期号：8629
是否译文：否
发表时间：2019-04-24
收录刊物：SCI