张磊

副教授

入职时间:2018-05-31

所在单位:机电工程学院

职务:associate professor

学历:研究生(博士后)

办公地点:机电楼A326

性别:男

联系方式:18401252022

学位:博士学位

在职信息:在职

毕业院校:Northeast Normal University

   
当前位置: 中文主页 >> 论文成果

Growth of GaN on monolayer hexagonal boron nitride by chemical vapor deposition for ultraviolet photodetectors

发布时间:2020-11-26

点击次数:

发表刊物:Semiconductor Science and Technology

论文类型:期刊论文

通讯作者:Wenhui Zhu, Jiawei Si, Lei Zhang, Tao Li, Wenqing Song, Yuting Zhou, Jiahao Yu, Rui Chen, Yexin Feng and Liancheng Wang

卷号:35

页面范围:125025

是否译文:

发表时间:2020-07-13

收录刊物:SCI

上一条: Amorphous gallium oxide (a-Ga2O3)-based high-temperature bendable solar-blind ultraviolet photodetector

下一条: Flexible and thermally stable resistive switching memory in a Ta/TaO x/stainless steel structure