孙健

特聘教授

教授 、研究生导师

单位:物理与电子学院

入职时间:2018年05月14日

学位:博士学位

专业:物理学

电子邮件:

办公地点:物理与电子学院428B室

个人简历

孙健,男,中南大学物理与电子学院特聘教授。2008年于上海交通大学,获得机械电子专业工学学士。2013年毕业于沙特阿卜杜拉国王科技大学(KAUST),作为首届毕业生取得电子工程物理电子方向的博士学位。长期以来一直专注于微纳米物理电子学的研究工作。研究涉及微纳电子学、微纳加工技术、微纳机电系统、器件物理等。通过探索材料及电子器件中的新颖物理现象入手,结合开发微纳制程、新材料生长、及系统集成等技术问题,致力实现低能耗、高性能的复微纳电子功能器件及系统。主持有一项日本国家基金及一项所级基金,并参与了一项大型国家基金研究工作。发表有近60多篇学术论文以及会议摘要,其中在Science Advances,Nano Letters,APL,IEEE EDL,IEEE sensors等国际知名SCI期刊发表16篇学术论文,拥有2项美国专利,多次受邀在国际顶尖会议及国际知名机构报告科研进展。目前担任AAAS,AIP,IEEE,IOP等学术出版机构的审稿专家,多次在IEEE sensors等知名国际会议担任学术委员会成员以及分会主席等职务。

每年招收物理、电子、材料背景的研究生两名。也欢迎有兴趣的高年级本科生加入。
每年会派遣优秀学生赴日本理化学研究所开展为期3至6个月的短期研究实习。
每年可推荐优秀本科生和硕士研究生赴沙特KAUST大学开展为期4至6个月的实习(期间每月生活补贴1000美元,享受免费单人豪华住宿),项目详细情况请参考:https://vsrp.kaust.edu.sa
欢迎随时联系!电子邮箱: jian.sun@csu.edu.cn


发表论文
† 通讯作者
18) J. Sun†, R. S. Deacon, R. Wang, J. Yao, C. M. Lieber and K. Ishibashi, Helical Hole State in Multiple Conduction Modes in Ge/Si Core/Shell Nanowire, Nano Letters (2018) DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b01799
17) Z. W. Wang, J. Sun†, M. Muruganathan, and H. Mizuta, Electrically Tunable Localized States in Sub-band of Bilayer Graphene Nanoribbon, Applied Physics Letters113(13), 133101 (2018)
16) J. Sun†, M. Muruganathan, N. Kanetake, and H. Mizuta, Locally-Actuated Graphene-Based Nano-Electro-Mechanical Switch, Micromachines 7(7), 124 (2016) (邀稿)
15) J. Sun†, M. Muruganathan, and H. Mizuta, Room Temperature Detection of Individual Molecular Physisorption using Suspended Bilayer Graphene, Science Advances 2(4), e1501518 (2016) [被以下等媒体报道:EurekAlert!, Chemical & Engineering News, ScienceDaily, phys.org, Nanowerk, The Engineer Magazine, DailyMail, La Vanguardia, The Hindu, 人民网, 科技日报, 日经产业新闻]
14) J. Sun†, M. E. Schmidt, H. Chong, M. Muruganathan, and H. Mizuta, Large-Scale Nanoelectromechanical Switches Based on Directly Deposited Nanocrystalline Graphene on Insulating Substrates, Nanoscale 8, 6659 (2016)
[被以下等媒体报道:ScienceDaily, phys.org, Nanowerk, The Engineer Magazine ]
13) M. Muruganathan, J. Sun, T. Imamura, and H. Mizuta, Electrically Tunable van der Waals Interaction in Graphene-Molecule Complex, Nano Lett. 15, 8176 (2015) [被Nature Materials亮点报道, Nature Materials 15(3) (2016) DOI: 10.1038/nmat4530 ]
12) J. Sun†, T. Iwasaki, M. Muruganathan, and H. Mizuta, Lateral plasma etching enhanced on/off ratio in graphene nanoribbon field-effect transistor, Applied Physics Letters 106, 033509 (2015)
11) T. Iwasaki, J. Sun†, N. Kanetake, T. Chikuba, M. Akabori, M. Muruganathan, and H. Mizuta, Hydrogen Intercalation: An Approach to Eliminate Silicon Dioxide Substrate Doping to Graphene, Applied Physic Express 8, 015101 (2015)
10) J. Sun†, W. Wang, M. Muruganathan, and H. Mizuta, low pull-in voltage graphene electromechanical switch
fabricated with a polymer sacrificial spacer, Applied Physics Letters 105, 033103 (2014) [被以下等媒体报道:Nikkan Business Line, Nikkei News, The Hokkoku News, Nanotech Japan. Ranked No.1 in the monthly news in the Future Technology Domain of the Mynavi News.]
9) J. Sun†, Y-A. Soh, and J. Kosel, Geometric Factors in Magnetoresistance of n-doped InAs Epilayers, Journal of Applied Physics 114, 203903 (2013)
8) J. Sun† and J. Kosel, A top-contacted extraordinary magnetoresistance sensor fabricated with an unpatterned semiconductor epi-layer, IEEE Electron Device Letters 34(4), 547 (2013)
7) J. Sun† and J. Kosel, Extraordinary Magnetoresistance Effect in Semiconductor/Metal Hybrids: A Review, Materials 6, 500 (2013) (邀稿综述) [收录于ChemInform, 44(47) (2013) DOI: 10.1002/chin.201347200 ]
6) J. Sun†, and J. Kosel, The Influence of Semiconductor/Metal Interface Geometry in an EMR Sensor, IEEE Sensors Journal 13(2), 664 (2013)
5) J. Sun† and J. Kosel, Hall Effect Enhanced Low-Field Sensitivity in a Three-contact Extraordinary Magnetoresistance Sensor, Applied Physics Letters 100, 232407 (2012)
4) J. Sun†, Y-A. Soh, S. Patil, and J. Kosel, Strong Temperature Dependence of Extraordinary Magnetoresistance Correlated to Mobility in a Two-contact Device, Applied Physics Express 5, 033002 (2012)
3) J. Sun†, C. Gooneratne, and J. Kosel, Design Study of a Bar-type EMR Device, IEEE Sensors Journal 12(5),1356 (2012)
2) J. Sun† and J. Kosel, Room Temperature Inductively Coupled Plasma Etching of InAs/InSb in BCl3/Cl2/Ar, Microelectronic Engineering 98, 222 (2012)
1) J. Sun†, and J. Kosel, Finite Element Analysis on the Influence of Contact Resistivity in an Extraordinary Magnetoresistance Magnetic Field Micro Sensor, Journal of Superconductivity and Novel Magnetism 25(8), 2749 (2012)

教育经历

[1]  2004.9-2008.7

上海交通大学 | 机械工程及其自动化 | 学士学位

[2]  2009.9-2010.12

沙特阿卜杜拉国王科技大学(KAUST) | 机械工程 | 硕士学位

[3]  2010.1-2013.8

沙特阿卜杜拉国王科技大学(KAUST) | 电子工程 | 博士学位

工作经历

[1]  2018.5-至今

 中南大学  特聘教授

[2]  2018.10-至今

 日本国立理化学研究所  访问科学家

[3]  2016.4-2018.9

 日本国立理化学研究所  基础科学特别研究员

[4]  2013.12-2016.3

 日本国立北陆先端科学技术大学院大学  博士后研究员

[5]  2012.8-2013.2

 美国德克萨斯大学奥斯汀分校  访问学者

[6]  2011.6-2011.8

 英国伦敦纳米中心  访问学者

[7]  2010.6-2010.8

 英国帝国理工学院  访问学者

社会兼职

  • [1]  会议分会主席(Session Chair):KAUST-NSF Research Conference on Electronic Materials, Devices and Systems for Sustainable Future, KAUST, 2016

  • [2]  会议程序委员会委员(Program Committee):International Conference on Microelectronic Devices and Technology (MicDAT'18), Barcelona, Spain, 2018

  • [3]  会议学术委员会委员(Technical Committee):IEEE Sensors Conference(传感器领域顶级年度国际会议)2015年至今

  • [4]  学术期刊审稿专家:Science Advances,IEEE Sensors Journal,Applied Physics Letters, Semiconductor Science and Technology

研究方向

  • [1]   研究涉及微纳电子学、微纳加工技术、微纳机电系统、器件物理等

  • [2]   探索低维材料(二维材料、纳米线等)中新颖物理现象

  • [3]   新型微纳制程技术及系统集成技术的开发

  • [4]   高性能微纳功能器件(如传感器与执行机构,场效应晶体管,隧穿晶体管等)的研究开发