一种SiCp/Cu-铜箔叠层复合材料及其制备方法

Release time:2019-07-27

Affilication of Author(s):中南大学

Scope of patent:化学，冶金

School Sign:中南大学

Patent Applicant:中南大学

Disigner of the Invention:肖来荣 李雨蔚 赵小军 陈一鸣 宋宇峰 余宸旭 郭蕾 张贝

Patent description:本发明涉及一种SiCp/Cu‑铜箔叠层复合材料及其制备方法，属于叠层复合材料制备领域。所述复合材料由增强层和基体层交替分布组成；且增强层的单层厚度为5～35μm，基体层的单层厚度为10～50μm；所述增强层由下述原料制备而成：铜包覆SiC颗粒的体积分数为15％～35％，余量为Cu粉；所述基体层为纯铜或铜合金。其制备方法为：先配置增强浆料；然后涂覆于基体箔层上，烘干、叠层，然后经热压烧结，得到所述SiCp/Cu‑铜箔叠层复合材料。

Type of Patent:Invent

State of Patent:Authorized patents

Application Number:2017106251242

Authorization number:ZL2017106251242

Number of Inventors:8

Service Invention or Not:no

Application Date:2017-07-27

Publication Date:2019-04-12

Authorization Date:2019-04-12

First Author:肖来荣