刘艳平

特聘教授

教授 、研究生导师 、博士生导师

单位:物理与电子学院

入职时间:2017年03月20日

曾获荣誉:(1).2018年入选湖南省十大杰出青年海归人物(第一名)
(2).2017年入选湖南省青年百人计划
(3).2017年入选湖南省科技创新平台与人才计划(优秀人才类)
(4).2012年获得中国国家优秀自费留学生奖学金(排名第三)
(5).2012年获得优秀科研海报奖(IEEE Magnetics Society Singapore,排名第一)
(6).2011年获得优秀科研海报奖(香港科技大学,排名第一)

学位:博士学位

专业:物理学

毕业院校:新加坡南洋理工大学

电子邮件:

办公地点:中南大学新校区物理与电子学院536房

个人简历

刘艳平,男,汉族,1980年1月生,湖南茶陵人。特聘教授、博士生导师、中国教育部和中国科协“英才计划”导师、 湖南省青年百人、湖南省科技创新平台与人才计划优秀人才 、湖南省侨联特聘专家、中南大学新型信息器件青年创新团队负责人、中南大学物理与电子学院超微结构与超快过程湖南省重点实验室成员、中南大学深圳研究院项目研究员。衡阳师范学院本科学士、新加坡南洋理工大学(NTU)物理哲学博士(导师:LEW Wen Siang、ZHOU Tiejun教授)、日本理化学研究所(RIKEN)联合培养博士(导师:Yoshichika OTANI/大谷·義近教授)、美国加州大学伯克利分校(UC BERKELEY)博士后(导师:姚杰教授)。2017年初入职中南大学物理与电子学院。现为美国物理学会、美国国际电子电气工程师协会、美国化学学会、英国皇家化学学会会员。世界顶级期刊Nature Nanotechnology、Nature Physics、Nature Communications的审稿人,《Optics》期刊编委。目前主持国家自然基金面上项目(No:61775241;62万人民币)、深圳科技委基础研究自由探索项目(50万)、中南大学青年创新团队项目(120万)、中南大学创新驱动计划项目(No:2017XC019;100万人民币),参与和完成了新加坡国家重点基金(R284-000-056-281)、新加坡A*STAR科学和工程研究委员会(A*STAR: 082-101-0015)等多项项目。博士期间荣获2012年“国家优秀自费留学生奖学金($6000.00美元)”,并作为学生代表在新加坡大使馆发言。
   长期致力于二维材料自旋电子学、谷电子学、纳米光电器件的研究。研究目标是探索材料电子自由度(自旋、谷、电荷)的特性,利用它们为载体,通过先进的微纳加工工艺和材料改性手段,设计并制备新型的原型信息器件,并开发这些自由度在下一代新型信息器件中的应用。这将使我们能够利用基于纯的电子自旋、谷、电荷量子自由度实现新型的量子信息处理、数据存储器、太阳能电池和量子计算机等, 让科研更好地为人类社会以及国防建设服务。在石墨烯自旋电子学、过渡金属硫化物谷电子学研究及器件物理方面取得一系列创新研究成果。以第一作者身份在Nano Letters、ACS NANO、SMALL、Nanoscale、Carbon、Phys Chem Chem Phys、Applied Physics Letters、Nanotechnology、New Journal of Physics等高水平SCI期刊上发表论文20篇。其中影响因子>12的有3篇,平均影响因子达6.15/篇。相关科研成果被Nature NPG Asia Materials网站作为研究亮点报道。科研学术成果在美国、德国、日本、瑞典、新加坡、台湾、香港等国际会议上做了邀请报告或展览,科研海报多次荣获第一名。2017 年 12月份入选为湖南省科技创新平台与人才计划优秀人才,2018 年2月份入选湖南省百人计划,2018 年5月入选湖南省十大杰出青年海归人物(第一名)。  
    主要学术贡献:1.实验上成功通过磁场调制了石墨烯带隙,推动了其磁性传感器的应用。研究结果被《自然·中国》选为“研究亮点”重点报道。2.实现了石墨烯室温自旋长度达2微米,开辟了自旋电子学研究的新分支,推动了石墨烯自旋器件的发展和创新。3.成功调制硒化铋光学特性,推动其在智能窗户中的应用,授权了美国专利(US20170168327),并得到三星公司的资助(Grant 037361-003)。4.实现了石墨烯纳米带光电探测器,刷新了光电转化率的世界记录,加速了石墨烯光电探测器商业化进程。5.成功观察到了二维过渡金属硫属化合物明暗激子态的相变,开拓了其在量子点发光领域中的应用。
【代表性论文】
   1. YP. Liu(刘艳平); Idzuchi, H., Fukuma, Y., Rousseau, O., Otani, Y and Lew, W. S., Spin injection properties  in trilayer graphene lateral spin valves. Applied Physics Letters,2013.3,影响因子:3.142,Q2.
   2. YP. Liu(刘艳平); Tom, Kyle.; Xi, Wang.; Yao Jie.; et al., Dynamic control of optical response in layered metal Chalcogenide nanoplates, NANO LETTERS,2016.1,488-496,影响因子:13.779,:Q1.
   3. YP. Liu(刘艳平); Lew, W.S., Liew, H. F and Zhou, T. J., Observation of Oscillatory Resistance Behavior in Coupled Bernal and Rhombohedral Stacking Graphene, ACS NANO,2011.5,影响因子:12.881,Q1.
   4. YP. Liu(刘艳平); Goolaup, S.; Murapaka, C.; Lew, W. S.; Wong, S. K., Effect of Magnetic Field on the Electronics Transport in Trilayer Graphene,ACS NANO,2010.7,影响因子:12.881,Q1.
   5.YP. Liu(刘艳平); J. He., and ZW. Liu. Charge Transport in Few-layer Graphene: A Review,SMALL, 2017(Invite Review),影响因子:8.3,Q1.
   6. X.Yu*.,Z.Dong*., YP. Liu(刘艳平)*.,T.Jin.,J.K.W.Yang and Q.Wang., High performance, visible to mid-infrared photodetector based on graphene nanoribbons passivated by HfO2, NANOSCALE,同等第一作者,2015.12,影响因子:7.394,Q1.
   7.YP. Liu(刘艳平); Goolaup, S.C.; Lew, W. S.; Wong, S. K., Observation of the Semiconductor-Metal Transition Behavior in Monolayer Graphene, CARBON,2012.6,影响因子:6.196,SCI,4,Q1.
   8. YP. Liu(刘艳平); Lew, W. S.; Sun, L., Enhanced weak localization effect in few-layer graphene. Physical Chemistry Chemical Physics,2011.6,影响因子:4.449,Q2.
   9. YP. Liu(刘艳平); Goolaup, S.C.; Lew, W. S. et al., Excitonic Bandgap Dependence on Stacking Configuration in Four-layer Graphene, Applied Physics Letters,2013.2,影响因子:3.142,Q2.
  10. YP. Liu(刘艳平); Tom Kyle.; XW Zhang; Jie Yao. et al., Alloying effect on Bright-Dark Exciton States in Ternary Monolayer MoxW1-xSe2, New Journal of Physics,2017, 19(7):073018,影响因子:3.57,Q2.
  11. YP. Liu(刘艳平)#; Xiang Liu#.; Yanjing Zhang#;Jun He., Effect of Magnetic Field on the Electronic Transport in Bilayer Graphene Nanomesh, Nanotechnology,2017.28,235303,影响因子:3.573,Q2.

      【一位导师的科研背景、科研经历、科研方向和科研人脉与他组学生未来的前途和命运息息相关!】
  本课题组每年拟招收博士或硕士研究生4-6名、本科生5-6名、英才计划高中生4-5名(希望你有爱心懂感恩、有上进心不怕困难、多一点好奇心少一点虚荣心、失败找自身原因而不是找借口、敢于挑战权威,敢于创新等)。主要从事新型信息器件的研究(自旋电子器件、谷电子器件、二维材料光电器件等)。 欢迎具有凝聚态物理、光学、物理电子学、电子科学与技术、材料及纳米加工等专业背景的学生加盟(学科专业不分先后)。
   欢迎具有相关专业背景的博士后加盟,待遇从优!
   本课题组的研究生将实行与美国加州大学伯克利分校、日本理化学研究所、新加坡南洋理工大学、澳大利亚悉尼大学等进行联合培养,为学生提供世界一流的科研环境和就业竞争力。

教育经历

[1]  2011.9-2012.9

日本理化学研究所(RIKEN) | 自旋电子学 | 博士联合培养 | 博士联合培养
國立研究開發法人理化学研究所(Institute of Physical and Chemical Research ,日語:理化学研究所),簡稱理研或RIKEN。是日本資本主義之父澀澤榮一於1917年设立,涵蓋物理学、化学、工学、生物学、医科学等領域,由基礎研究至應用研究均有執行的大型自然科学研究机构。

[2]  2009.1-2013.7

新加坡南洋理工大学(NTU) | 物理 | 博士学位 | 博士研究生毕业
新加坡南洋理工大学(英语:Nanyang Technological University;缩写:NTU),简称南大,是位于新加坡的一所著名公立研究型大学。此大学的主要校园,也被称为“云南园”,位于新加坡的西部。南大的任务是通过不同的学科培养具有创造力和企业的领袖。南大與新加坡國立大學為新加坡乃至亞洲的學術重鎮。 在QS世界大学排名中,南大維持世界前50名,於2016年躍升世界第13名;在亚洲大學排名上,也多年維持前10名的位置,2018年的泰晤士高等教育世界大学排名中,跻身为全亚洲第1名。

工作经历

[1]  2017.3-至今

 物理与电子学院 |  中南大学(CSU)  特聘教授

[2]  2014.2-2017.1

 材料工程系 |  美国加州大学伯克利分校(UC BERKELEY)  博士后

[3]  2013.1-2013.11

 电子工程系 |  新加坡南洋理工大学(NTU)  研究员

[4]  2011.9-2012.9

 日本理化学研究所(RIKEN)  青年研究学者

社会兼职

  • [1]  湖南省侨联特聘专家    兼职时间:2017/10/01 --至今

  • [2]   中国科协“英才计划”导师    兼职时间:2018/11/01 --至今

  • [3]  世界顶级期刊Nature Nanotechnology、Nature Physics、Nature Communications和ACS、ELSEVIER、RCS、AIP出版的一流期刊的审稿人。

  • [4]  现为美国物理学会、美国国际电子电气工程师协会、美国化学学会、英国皇家化学学会会员。

研究方向

  • [1]   新型材料自旋电子学及自旋器件的应用

  • [2]   新型能谷材料谷电子学及谷器件的应用

  • [3]   二维材料光电特性及应用

  • [4]   新型功能材料设计、制备及应用

  • 团队成员

    中南大学低维量子器件科研团队

    张建华

    博士生/谷电子学  

    钟佳宏

    研究生/光电探测器  

    于娟

    研究生/二维材料光电特性  

    曾程

    研究生/自旋电子学  

    曹凌恺

    研究生/二维材料制备  

    马弟臻

    研究生/超快光学  

    张丝雨

    本科生/二维材料  

    高远基

    本科生/谷电子学  

    范雯萱

    研究生(2019推免生)/二维材料  

    刘子腾

    研究生(2019推免生)/量子器件  

    中南大学低维量子器件实验室

    中南大学低维量子器件

      

    中南大学低维量子器件

      

    中南大学低维量子器件

      


      中南大学《低维量子器件实验室》成立于2017年3月,实验室致力于二维材料自旋电子学、谷电子学、纳米电子学与器件的研究。研究目标是探索材料电子自由度(电子自旋,谷和电荷)的特性,并利用它们为载体,以开发这些自由度在新一代量子信息技术中的应用。这将使我们能够利用基于纯的电子自旋、谷、电荷量子自由度实现新型的量子信息处理、数据存储器、太阳能电池和量子计算机等, 让科研更好地为人类社会以及国防建设服务。研究和开发具有信息功能的新型自旋和谷电子学器件,已经成为了我国信息学科领域的研究热点和重点。2011年国家发改委颁布的《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南》中,将开发新型的“信息功能材料与器件”作为信息产业中优先发展的重要方向。科研组以二维材料为(载体),通过外加条件(电、磁、光、热、力等)开展有关这些材料的自旋、轨道、电荷输运,晶格、拓扑等性质的研究,从而设计并开发出基于这些特性的原型器件。