黄寒

教授 博士生导师 硕士生导师

入职时间:2012-04-06

所在单位:物理与电子学院

学历:博士研究生毕业

办公地点:中南大学南校区双超所205室

性别:男

联系方式:电话:18684935530 邮箱:physhh@csu.edu.cn http://wl.csu.edu.cn/bk/Blog.aspx?id=huanghan

学位:博士学位

在职信息:在职

主要任职:2015/9 - 至今, 中南大学, 物理与电子学院, 教授, 博导 2013/7 - 至今,中南大学,物理与电子学院,“升华学者”特聘教授 2012/2 - 2013/7,中南大学,物理与电子学院,研究员,硕导 2008/4 - 2012/12,新加坡国立大学,理学院物理系,博士后,合作导师:A. T. S. Wee 2007/6 - 2008/3, 新加坡国立大学,理学院物理系,研究员助理,合作导师:A. T. A. Wee

毕业院校:浙江大学

学科:物理学

曾获荣誉:

2016年 湖南省自然科学基金杰出青年项目支持 2013年 中南大学“升华学者”特聘教授计划支持

课题组动态

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[30] 2020-12-19 课题组黄寒老师带领课题组成员参与组织2020年度湖南省物理学会年会暨学术报告会。

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[29] 2020-11-13 课题组成员肖君婷同学获得中南大学2020年度研究生校长奖学金创新奖,刘金鑫同学获得中南大学2020年度研究生国家奖学金,邵子依同学获得校级奖励金格林美创新实践奖。

[28] 2020-05-11 课题组成员肖君婷,邵子依,刘龙慧三位同学获得2020年度中南大学研究生自主探索创新项目立项共三项。

[27] 2019-09-19 课题组黄寒老师带领团队成员田麒玮,陈凤鸣,肖君婷,刘金鑫四位同学赴郑州参加中国物理学会2019年秋季学术会议,并在会上作学术报告。

[26] 2019-08-20 课题组刘金鑫同学作为代表参加于云南昆明举办的拉曼光谱应用技术研讨会。

 

[25] 2019-07-14 课题组肖君婷、陈凤鸣、刘金鑫、邵子依、刘龙慧五位同学参加由国防科技大学举办的“纳米光电子技术”国际研究生暑期学校。

[24] 2019-06-21 课题组陈凤鸣、肖君婷、刘金鑫、邵子依四位同学作为普通代表参加第十四届中美华人纳米论坛。

   

[23] 2018-01-05 课题组陈凤鸣、肖君婷、刘金鑫三位同学参加第十九届物理年会,并对组内进展做了口头报告。

   

 

[22] 2018-10-31 课题组刘金鑫同学在Renishaw上海参加Renishaw Raman Training并获得培训证书。 

[21] 2018-10-12 ~ 2018-10-15 黄寒教授受邀参加2018全国表面分析科学与技术应用学术会议(中国苏州)。

[20] 2018-10 祝贺何丙辰同学论文被Surface Science 接受发表 

[19] 2018-09-22 ~ 2018-10-07 课题组何丙辰同学在黄寒教授的带领下赴新加坡国立大学进行为期半个月的学习交流。

 [18] 2018-09 黄寒教授团队合成高定向MoO2@MoS2纳米棒

    表面物理研究室黄寒老师(表面物理研究室主任)所带领团队在CVD法制备低维纳米材料研究中取得重大进展。

该团队根据MoO2c-sapphire基底之间存在的外延关系,采用APCVD方法制备具有高结晶度的MoO2@MoS2纳米棒。通过多种实验手段系统地研究了MoO2@MoS2纳米棒的结构性质,发现在c-sapphire表面的MoO2更倾向于沿着自身<001>晶向生长成为纳米棒结构,并随着表面的硫化形成MoO2@MoS2的核壳结构。进一步的电学性能测试发现该纳米棒在低偏压下表现出良好的金属性质,其电导率较前人工作提高一个量级,约6.4*103 S/cm。以具有核壳结构的MoO2@MoS2纳米棒为原材料,通过PMMA辅助转移法将MoS2壳层从MoO2@MoS2纳米棒剥离下来得到一维MoS2纳米带。

该研究已申请发明专利两项,其中授权一项。(CN 106830081 B; CN 107963667 A)

发表论文三篇(Appl. Phys. Lett. 2017, 111, 093505; J. Phys. Chem. C. 2018, 122, 1860-1866; Phys. Status Solidi B. DOI: 10.1002/pssb.201800254.)

 

 


[17] 2018-07-22 ~ 2018-07-28 课题组施姣,刘金鑫同学参加第十八届全国晶体生长与材料学术会议(中国西安),并且施姣同学在此会议上对组内最新研究成果做了oral report。

[16] 2018-07-05 ~ 2018-07-09 课题组何丙辰,田麒玮同学参加第四届凝聚态物理会议(中国上海)

[15] 2018-07-01 ~ 2018-08-30  黄寒教授赴德国凯泽斯劳滕工业大学,高级访问学者

[14] 2018-06-25 ~ 2018-06-29  黄寒教授受邀参加International Conference on Novel 2D materials explored via scanning probe microscopy and spectroscopy(西班牙) 

[13] 2018-04 祝贺田麒玮,曾启同学获2018年度中南大学自由探索项目资助

[12] 2018- 01 祝贺吴迪同学论文被Journal of Physical Chemistry C接受发表http://pubs.acs.org/action/showCitFormats?doi=10.1021/acs.jpcc.7b10666

[11] 2017- 11 祝贺田果同学论文被Surface Science接受发表。http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2017.08.008

[10] 2017-09-07 课题组郑晓明,何丙辰,施姣三位同学在黄寒教授的带领下参加中国物理学会-2017年秋季学术会议(中国成都)

[9] 2017- 07 祝贺谢启梁同学论文被Applied Physics Letter 接受发表http://dx.doi.org/10.1063/1.5001183 

[8] 2017-07-10 ~ 2017-07-21 课题组郑晓明,何丙辰,施姣三位同学参加国防科技大学主办的2017年“石墨烯类二维材料与光电器件”国际研究生暑期学校并获结业证书。

[7] 2017-06-25 课题组郑晓明,何丙辰,施姣三位同学在黄寒教授的带领下参加第三届凝聚态物理会议(中国上海) 

[6] 2017-04  祝贺郑晓明,何丙辰,施姣三位同学获2017年度中南大学自由探索项目资助。

[5] 2017- 03 祝贺申艺娴同学论文被Langmuir接受发表。pubs.acs.org/Langmuir 

[4] 2016-10-12 黄寒教授在国际刊物ACS Nano上发表论文

表面物理研究室黄寒老师(表面物理研究室主任)主要从事半导体表面/界面的原子结构、电子结构、化学性质以及有机分子在表面的吸附等。

通过低温扫描隧道显微镜(LT-STM)和DFT理论计算,研究了HBB分子在Au(111)表面自主装的过程,发现了在一个温度变化很小的区间内存在两种不同的自组装结构,分别是六方密排结构和四方结构。揭示了形成这两种不同结构的原因是由于衬底与分子之间的作用,以及分子通过吸附Au原子来改变排列结构。这种对于分子与衬底之间的作用的深入理解对于以后的有机器件和基于分子 自组装的功能性材料有着巨大的帮助。

 ACS NANO》属于美国化学学会所出版的期刊,其上所出版文章需通过严格审稿环节。(IF=13.71,一区顶级期刊)黄寒教授为该文章第一作者,研究中得到了中南大学升华学者项目的支持。文章信息:Han Huang et al., Competition between Hexagonal and Tetragonal Hexabromobenzene Packing on Au(111).

[3] 2015-03-09 层状基底对CuPc生长影响的研究

我组硕士研究生张雷在黄寒教授指导下,近日在美国化学学会期刊J. Phys. Chem. C上发表名为<<Thickness-Dependent Air-Exposure-Induced Phase Transition of CuPc Ultrathin Films to Well-Ordered One-Dimensional Nanocrystals on Layered Substrates>>的论文通过系统的研究,他们发现暴露空气和CuPc原有厚度对层状衬底上CuPc相变成一维纳米带状晶粒有重要作用,这为调制有机材料生长、提高其结晶性提供新途径。该工作与中科院上海应用物理研究所高兴宇研究员合作完成。

[2] 2014-05-20 黄寒教授组在国际刊物《ACS Nano》上发表石墨烯掺杂研究成果

本文通过单个Mo原子掺入到SiC表面外延生长的双层石墨烯(BLEG)中,并使用 LT-STM (T = 77 K)和第一性原理计算来研究Mo原子在BLEG中的掺杂位点以及相应的电子特性,黄寒教授为该文章第一通讯作者。文章信息:Wen Wan et al., Incorporating Isolated Molybdenum (Mo) Atoms into Bilayer Epitaxial Graphene on 4H-SiC(0001).2014

 

[1] 2012-10-17 具有原子级精度边界的石墨烯纳米带的制备与研究

自2004年Andre K. Geim组利用胶带机械剥离块状石墨的方法成功制得原子级厚度的石墨烯以来,全球进入了石墨烯时代。然而,石墨烯带隙为0,而晶体管材料要求带隙大于0.4 eV以使开/关比为达到104~107,因此打开石墨烯带隙成为了亟待解决的问题。理论计算表明,将石墨烯裁剪成宽度小于10 nm的一维纳米结构可以有效打开带隙。

表面组黄寒教授团队利用前驱体DBBA分子,首次在Ag(111)衬底上合成出了不同宽度(71421)的石墨烯纳米带,该文章发表在《Scientific Reports,其引用次数超过100。通过对基底的修饰,改变其表面性质,可以实现对DBBA分子自组装结构的有效调控。通过深入研究,取得了一系列成果。