中南大学汪炼成

当前位置: 中文主页 >> 论文成果

N-polar GaN etching and approaches to quasi-perfect micro-scale pyramid vertical light-emitting diodes array

发布时间：2018-02-07

点击次数：

发表刊物：J. Appl. Phys. 2013, 10, 114 (133101)

合写作者：G. Wang, X. Yi*, Z. Liu, J. Ma, Liancheng Wang*

文献类型：J

是否译文：否

上一条： Mechanism in Thermal Stress aided Electrodeless Etching of GaN Epitaxial on Sapphire and approaches to vertical devices

下一条： Hexagonal Pyramids Array micro vertical Light Emitting Diodes by N-polar Wet Etching