汪炼成

教授 博士生导师 硕士生导师

入职时间:2017-07-13

所在单位:机电工程学院

学历:博士研究生毕业

性别:男

联系方式:邮箱:liancheng_wang@csu.edu.cn; wanglc@semi.ac.cn.

学位:博士学位

在职信息:在职

毕业院校:中国科学院大学

曾获荣誉:

2022年湖南省杰出青年基金

2018年 The Best Early Career Researcher, IOP (英国物理协会)

2018年湖湘高层次创新人才

   
当前位置: 中文主页 >> 论文成果

Impurity Resonant States p-doping layer for High Efficiency Nitride Based Light-Emitting Diodes

发布时间:2018-11-07

点击次数:

发表刊物:Semicond. Sci. Technol

合写作者:Y. Zhang, Y. Shi, J. M. Li, J. X. Wang, T. B. Wei, G. D. Yuan, Liancheng Wang*, X. Y. Yi, Z. Q. Liu

页面范围:33 (2018) 114004

是否译文:

上一条: Horizontal GaN Nanowires Grown on Si (111) Substrate: the Effect of Catalyst Migration and Coalescence

下一条: Metalens at Ultraviolet Spectrum