二维硫族晶体的印刷式定点生长方法
发布时间：2019-06-28
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申请专利人：刘忠范, 周喻, 谢天, 郑文山, 彭海琳
专利说明：本发明公开了一种二维硫族晶体的印刷式定点生长方法。该方法包括：1)将弹性印章先浸泡于可挥发性溶剂中，再取出所述弹性印章压印在基底表面，待所述可挥发性溶剂挥发后，将所述基底从所述弹性印章上剥离，得到图案化修饰的基底；2)在非氧化性气氛中，按照气路由下游至上游的顺序，依次放置图案化修饰的基底和硫族材料进行物理气相沉积，沉积完毕后降温，即得到所述二维硫族晶体。本发明发展了一套普适的二维硫族原子晶体控制生长的方法，可以得到大面积，高质量的形状、成核位点、取向和厚度可控的二维硫族原子晶体。这种方法制备得到的二维硫族
授权号：ZL201510072662.4
发明人数：5
是否职务专利：否
授权日期：2017-11-21