Cu(111)衬底上单层铁电GeS薄膜的原子和电子结构研究

Release time:2023-10-24

DOI number:10.7498/aps.73.20231246

Journal:物理学报

Key Words:二维铁电材料因具有自发极化特性，在铁电场效应晶体管、非易失性存储器和传感器中具有广泛的技术和器件应用。特别是第四主族单硫属化合物具有最高的理论预测热电特性和本征的面内铁电极化特性，适合作为探索二维铁电极化特性的模型材料。然而，由于相对大的解理能，目前不容易获得高质量和大尺寸单层第四主族单硫属化合物，严重阻碍了这些材料应用到快速发展的二维材料及其异质结研究中。本文采用分子束外延方法在Cu (111)衬底上成功制备单层GeS。通过高分辨扫描隧道显微镜，原位X射线光电子能谱和角分辨光电子能谱以及密度泛函理论计算，对单层GeS原子晶格和电子能带结构进行了系统表征。研究结果表明：单层GeS具有正交晶格结构和近似平带的电子能带结构。单层GeS的成功制备和表征使得制备高质量和大尺寸单层第四主族单硫属化合物成为可能，有利于该主族材料应用到快速发展的二维铁电材料以及异质结研究中

Indexed by:Journal paper

Discipline:Natural Science

First-Level Discipline:Physics

Document Type:J

Translation or Not:no

Date of Publication:2023-10-10

Included Journals:SCI