唐思危

硕士生导师

单位:粉末冶金研究院

入职时间:2015年04月05日

学位:博士学位

专业:材料科学与工程

毕业院校:美国田纳西大学

电子邮件:

办公地点:湖南省长沙岳麓区中南大学校本部三一大楼

个人简历

唐思危,2014年于美国田纳西大学诺克斯维尔分校材料科学与工程学院获得博士学位。2012年至2014年,在美国橡树岭国家实验室纳米材料科学中心进行研究。2015年加入中南大学粉末冶金研究院。在Physical Review Letters,Nano Letters,Chemistry of Materials, Nano Research等国际知名期刊上发表论文10余篇。 主要研究兴趣为电子封装材料、新型一维磁性纳米线,二维磁性材料及其薄膜材料的基础应用研究,包括计算机存储器件、自旋电子学器件,斯格明子存储器件、自旋转移扭矩效应,自旋密度波等方面。本课题组依托中南大学粉末冶金研究院、“2011”有色金属协同创新中心、粉末冶金国家重点实验室、粉末冶金国家工程中心等大型研究平台,具有世界一流的材料表征仪器,以及理论计算合作团队。同时课题组与国际顶尖橡树岭国家实验室有长期合作关系,可以提供出国交流访问机会。
电子邮箱: siweitang@csu.edu.cn

教育经历

[1]  2006.9-2009.7

中南大学 | 材料科学与工程 直博

[2]  2002.9-2006.6

中南大学 | 测控技术与仪器 | 学士学位 | 大学本科毕业

[3]  2009.8-2011.8

美国田纳西大学 | 材料科学与工程 | 硕士学位 | 硕士研究生毕业

[4]  2011.9-2014.6

美国田纳西大学/橡树岭国家实验室 | 材料科学与工程 | 博士学位 | 博士研究生毕业

研究方向

  • [1]   电子封装用锡基、金基焊料的熔炼制备、加工和焊接特性

  • [2]   斯格明子相MnSi、FeGe和自旋密度波态的FeGe2纳米线的制备与磁性表征
    一维纳米线化学气相生长及其结构的研究:通过扫描电子显微镜对形貌,纳米线长度,半径进行生长参数控制;利用透射电子显微镜对纳米线的结构进行分析;研究一维磁性纳米线的斯格明子的自旋扭矩转换。
    一维纳米材料中的自旋密度波。自旋密度波能够用电场和磁场控制“滑移”,所以也是一种潜在的自旋电子控制方式。同时,研究一维材料中的自旋密度波对于研究其与超导态的关系至关重要。

  • [3]   二维孤立子材料CrNbS的量子阶梯相变
    二维磁性纳米层片的解理。包括如何将多层结构材料解理到磁性特征长度以下(<100nm),利用扫描电镜上的能量色散X射线光谱仪进行元素分析,并用透射电镜研究新的磁性结构和物理现象。

  • [4]   氮化硼薄膜的等离子体脉冲激光生长
    激光脉冲沉积氮化硼薄膜。研究优化参数包括能量密度;激光频率对于薄膜质量的影响,这种材料包括磷化硼可以用于热中子探测器。

  • [5]   多电极纳米器件的电子束刻蚀工艺
    自旋电子器件的制备。包括利用扫描电镜标定纳米线的位置;纳米器件的设计;电子束刻蚀;电极沉积等。磁性纳米线的一个重要性质就是纳米结构里面的磁性变化,而研究磁性纳米线的最重要一步就是将其集成为四电极纳米器件然后接上电极:包括测量磁阻和导通脉冲电流。